WYKORZYSTYWANIE WŁAŚCIWOŚCI

W tran­zystorach wykorzystuje się właściwości obszaru przejścio­wego między warstwami dwóch półprzewodników typu p lub typu n, albo. złącza p-n, utworzonego przez styk ostrza metalu z półprzewodnikiem. W pierwszym przypadku otrzymuje się tranzystory warstwowe, a w drugim ostrzowe.Tranzystor warstwowy. Każdy tranzystor warstwowy musi mieć przynajmniej dwa złącza p-n. Tranzystory warstwo­we produkowane są w dwóch zasadniczych wykonaniach    tranzystor typu p-n-p, który ma dwa zewnętrzne obszary typu p i wewnątrz jeden obszar typu n,   tranzystor typu n-p-n, który ma dwa zewnętrzne obszary typu n i wewnątrz jeden obszar typu p.Złącze emiter-baza (E-B) jest zawsze spolaryzowane w kie­runku przewodzenia przez potencjał baterii zewnętrznej, co obniża wewnętrzną                                             barierę potencjału złą­cza. Złącze kolektor-baza (C-B) jest również za« wsze spolaryzowane z ze­wnątrz, lecz w kierunku zaporowym, co podwy­ższa wewnętrzną barierę potencjału złącza.

Znalazłeś się tutaj dzięki poniższej frazie kluczowej:

Witaj na moim serwisie! Znajdziesz tutaj wiele informacji, wziętych z mojego doświadczenia w pracy jako mechanik samochodowy. Bloga stworzyłem dla wszystkich miłośników czterech kółek. Zapraszam do czytania!
Wszelkie prawa zastrzeżone (C)